[发明专利]包括激光三角测量传感器的晶片检查系统在审
| 申请号： | 201880037993.6 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN110720135A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | J·舍费尔;C·福格斯;N·史密斯;J·特雷普塔 | 申请（专利权）人： | 鲁道夫技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G02B21/02 |
| 代理公司： | 44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 赵学超 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 检查系统的一个示例包括激光器、放大变换器和第一相机。激光器将线投射到待检查的晶片上。放大变换器包括多个不同放大倍率的可选择透镜。第一相机对投射到晶片上的线成像，并且输出指示晶片的特征的高度的三维线数据。放大变换器的每个透镜提供第一相机相对于晶片的相同标称焦平面位置。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 放大变换器 透镜 相机 激光器 投射 焦平面位置 放大倍率 检查系统 输出指示 线成像 线数据 标称 三维 检查 | ||
【主权项】：
1.一种检查系统，包括：/n激光器，该激光器将线投射到待检查的晶片上；/n放大变换器，该放大变换器包括多个不同放大倍率的可选择透镜；和/n第一相机，该第一相机用以对投射到所述晶片上的所述的线进行成像并且输出指示所述晶片的特征的高度的三维线数据，/n其中，所述放大变换器的每个透镜提供所述第一相机相对于所述晶片的相同标称焦平面位置。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
