[发明专利]含钼的低电阻率的膜在审
| 申请号： | 201880038116.0 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN110731003A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 施卢蒂·维维克·托姆贝尔;拉什纳·胡马雍;米卡尔·达内克;照健·史蒂文·黎;约瑟亚·科林斯;汉娜·班诺乐克;格里芬·约翰·肯尼迪;戈鲁恩·布泰尔;帕特里克·范克利蒙布特 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L27/108;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 31263 上海胜康律师事务所 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本文提供了用于逻辑和存储器应用的低电阻金属化堆叠结构以及相关的制造方法。在一些实现方案中，所述方法涉及：在衬底上提供含钨(W)层；并且在所述含W层上沉积含钼(Mo)层。在一些实现方式中，该方法涉及直接在介电或氮化钛(TiN)衬底上沉积含Mo层，而没有中间的含W层。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 沉积 存储器应用 低电阻金属 堆叠结构 氮化钛 含钼 介电 制造 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：/n在衬底上提供含钨(W)层；并且/n在所述含W层上沉积含钼(Mo)层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880038116.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
