[发明专利]利用后等离子体气体注入的等离子体处理设备有效
| 申请号： | 201880038243.0 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110741459B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 马绍铭;弗拉迪米尔·纳戈尔尼;D·V·德塞;瑞安·M·帕库尔斯基 | 申请（专利权）人： | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京易光知识产权代理有限公司 11596 | 代理人： | 崔晓光 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了利用后等离子体气体注入的等离子体处理。在一个示例性实施方式中，等离子体处理设备包括等离子体室。该设备包括与等离子体室隔开的处理室。处理室包括可进行操作以支撑工件的基板保持器。该设备包括被配置为在等离子体室中产生等离子体的等离子体源。该设备包括将等离子体室与处理室隔开的分离格栅。分离格栅可以被配置为过滤等离子体中产生的一个或多个离子，并允许中性粒子通过而从等离子体室到达处理室。该设备可以包括至少一个气体端口，该至少一个气体端口被配置为将气体注入穿过分离格栅的中性粒子中。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 等离子体 气体 注入 处理 设备 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理设备，包括：/n等离子体室；/n处理室，其与所述等离子体室隔开，所述处理室包括可进行操作以支撑基板的基板保持器；/n等离子体源，其被配置为在所述等离子体室中产生等离子体；/n分离格栅，其将所述等离子体室与所述处理室隔开，所述分离格栅被配置为过滤等离子体中产生的一种或多种离子，并允许中性粒子通过而从所述等离子体室到达所述处理室；以及/n至少一个气体端口，其被配置为将气体注入穿过所述分离格栅的中性粒子。/n
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