[发明专利]用于波导的复合基底以及制造复合基底的方法有效
| 申请号： | 201880038495.3 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN110731029B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | S·布尔加;R·F·科普夫;P·鲁里科斯基;M·诺劳齐亚拉布 | 申请（专利权）人： | 诺基亚通信公司 |
| 主分类号： | H01P3/08 | 分类号： | H01P3/08;H05K1/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 马明月 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于具有信号频率的RF信号的波导的复合基底，其中所述复合基底包括至少介电材料的第一层和介电材料的第二层、以及被布置在所述第一层与所述第二层之间的导电材料的至少一个导体层，其中所述至少一个导体层的层厚度小于在所述导体层的所述导电材料内的所述RF信号的趋肤深度的约120％。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 波导 复合 基底 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于具有信号频率的射频RF信号(RFS)的波导(MS1)的复合基底(100；100a)，其中所述复合基底(100；100a)包括至少介电材料的第一层(110)和介电材料的第二层(120)、以及被布置在所述第一层(110)与所述第二层(120)之间的导电材料的至少一个导体层(130；131，132)，其中所述至少一个导体层(130；131，132)的层厚度(h2；h21，h22)小于在所述导体层(130；131，132)的所述导电材料内的所述RF信号(RFS)的趋肤深度的约120％。/n
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