[发明专利]激光二极管芯片、封装模块、发射及测距装置、电子设备在审

专利信息
申请号: 201880038545.8 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN112219324A 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 刘祥;董帅;洪小平 申请(专利权)人: 深圳市大疆创新科技有限公司
主分类号: H01S5/00 分类号: H01S5/00;H01S5/042;H01S5/026
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 张建
地址: 518057 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供了一种激光二极管芯片、激光二极管封装模块及发射装置、测距装置、电子设备。所述激光二极管芯片包括:衬底,具有第一表面和第二表面;激光二极管阵列,包括形成在所述衬底上的至少两个激光二极管;其中,每个所述激光二极管的P电极均形成在所述衬底的第一表面上,每个所述激光二极管的N电极均形成在所述衬底的第二表面上,每个所述激光二极管的发光区分别形成在所在的激光二极管的P电极和N电极之间;其中,所述激光二极管采用N电极驱动方式,且相邻的所述激光二极管的所述N电极之间彼此隔离。通过本发明所述设置可以利用微纳加工工艺保证多线光源之间相对位置的准确性,同时又能够实现各个光源之间的独立的快速驱动。
搜索关键词: 激光二极管 芯片 封装 模块 发射 测距 装置 电子设备
【主权项】:
暂无信息
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