[发明专利]横向鳍式静电感应晶体管有效
| 申请号： | 201880038632.3 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110785855B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 黄弼勤 | 申请（专利权）人： | HRL实验室有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京鸿德海业知识产权代理有限公司 11412 | 代理人： | 王再芊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了一种横向鳍式静电感应晶体管，该横向鳍式静电感应晶体管包括：半导电基片；源极和漏极区，它们从由半导电基片支撑的相同或变化厚度的可选缓冲层延伸；半导电沟道，该半导电沟道将晶体管的源极区电耦合到漏极区，半导电沟道的一部分是鳍并且具有被栅控结构覆盖的面，从而在半导电沟道内限定了栅控沟道，半导电沟道还包括漂移区，该漂移区将栅控沟道电耦合到晶体管的漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 静电感应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种具有鳍状沟道的横向晶体管装置，所述装置包括：栅控沟道和漂移区，所述栅控沟道位于所述鳍状沟道中靠近所述漂移区的位置，所述漂移区位于所述鳍状沟道中，其中，穿过所述漂移区的电流传输受到空间电荷的限制，所述漂移区决定了所述晶体管的击穿电压。/n
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