[发明专利]具有氮氧化硅的磁性穿隧接面封装层在审
| 申请号： | 201880039010.2 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110998887A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 维格纳许·桑达;王郁仁;沈冬娜;沙希·帕特尔;童儒颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;C23C16/30;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
揭露一种等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法，用于在磁性穿隧接面(MTJ)侧壁上形成SiON封装层，其在PECVD或后续制程中能够将对于MTJ侧壁的攻击最小化。和传统方法比起来，使用PECVD方法能在400℃退火之后提供更高的磁阻效应比例。在一实施例中，SiON封装层借由至少1:1但小于15:1的N |
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| 搜索关键词： | 具有 氧化 磁性 穿隧接面 封装 | ||
【主权项】：
暂无信息
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