[发明专利]用于3D MIM电容封装处理的方法和设备在审
| 申请号： | 201880039544.5 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110770926A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | P·索;G·H·施;A·桑达拉江 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 处理基板的方法，包括以下步骤：提供具有第一聚合物介电层的基板；在第一聚合物介电层上形成第一RDL；在第二聚合物介电层的顶部表面中的至少一个开口中，在第一RDL上构建3D MIM电容堆叠，3D MIM电容堆叠具有顶部电极、底部电极以及插入顶部电极与底部电极之间的电容介电层；在3D MIM电容堆叠上以及第二聚合物介电层上沉积介电层；以及移除介电层的一部分，以在3D MIM电容堆叠的至少一个开口的底部处暴露顶部电极的至少一部分，并且在第二聚合物介电层的至少一个开口的底部处暴露金属层的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物介电层 堆叠 顶部电极 开口 底部电极 沉积介电层 电容介电层 处理基板 顶部表面 介电层 金属层 暴露 构建 基板 移除 | ||
【主权项】：
1.一种处理基板的方法，包括以下步骤：/n提供具有第一聚合物介电层的基板；/n在所述第一聚合物介电层上形成第一重分配层(RDL)，所述第一RDL包括第二聚合物介电层和至少一个开口，所述第二聚合物介电层具有嵌入所述第二聚合物介电层中的金属层，所述至少一个开口在所述第二聚合物介电层的顶部表面中以暴露所述金属层的至少一部分；/n在所述第二聚合物介电层的所述顶部表面中的至少一个开口中，在所述第一RDL上构建三维(3D)金属-绝缘-金属(MIM)电容堆叠，所述3D MIM电容堆叠具有顶部电极、底部电极、以及插入所述顶部电极与所述底部电极之间的电容介电层，所述底部电极与所述金属层电接触；/n在所述3D MIM电容堆叠上以及所述第二聚合物介电层上沉积介电层；以及/n除了与所述3D MIM电容堆叠的侧壁的至少一部分相邻的一部分以外，从所述3D MIM电容堆叠并且从所述第一RDL移除所述介电层。/n
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