[发明专利]单极性N型或P型碳纳米管晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201880039959.2 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN110892532A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 李华平 | 申请（专利权）人： | 碳纳米管技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/76;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于将碳纳米管(CNT)生产和集成到TFT中以形成单极性CNT TFT的装置、材料和方法。CNT TFT包括在CNT有源层和源极/漏极电极之间的能够提供载流子捕获功能的掺杂层，以使得抑制电极之间的不想要的载流子电荷注入，从而允许CNT TFT的单极性操作。还提供了用于形成单极性N型或P型SWCNT TFT的方法和设备。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 纳米 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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