[发明专利]混合半导体激光器组件以及用于制造这样的组件的方法有效
| 申请号： | 201880040293.2 | 申请日： | 2018-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110785900B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | S·梅内佐;O·吉拉德 | 申请（专利权）人： | 法国原子能源和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/026;H01S5/028;H01S5/10;H01S5/14;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 潘晓松;林蕾 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种混合半导体激光器组件(1)，包括：至少一个第一发射模块(110，120)，其包括被成形为以第一给定波长发射电磁辐射的有源区；以及，光学层(200)，其包括与有源区(110，120)光学耦合的至少一个第一波导(210，220)，波导(210，220)与有源区(110，120)形成以给定波长谐振的光腔。混合半导体激光器组件(1)还包括所谓的散热半导体层(310)，所述散热半导体层(310)在第一发射模块(110，120)的与光学层(200)相对的表面上与第一发射模块(110，120)热接触。本发明还涉及用于制造这样的混合半导体激光器组件(1)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 半导体激光器 组件 以及 用于 制造 这样 方法 | ||
【主权项】：
1.一种混合半导体激光器组件(1)，包括：/n-至少一个第一发射模块(110，120)，所述至少一个第一发射模块(110，120)包括有源区(111，121)，所述有源区(111，121)由直接能隙半导体材料、诸如半导体III-V制成，并且被成形为以第一给定波长发射电磁辐射，/n-光学层(200)，所述光学层(200)包括与所述至少一个第一发射模块(110,120)的有源区(111,121)光学耦合的至少一个第一波导(210,220)，所述第一波导(210，220)与所述有源区(111，121)形成以所述第一给定波长谐振的光腔，/n所述混合半导体激光器组件(1)的特征在于，其进一步包括：/n-被称为散热半导体层的半导体层(310)，所述散热半导体层(310)在所述第一发射模块(110，120)的与所述光学层(200)相对的的表面上与所述第一发射模块(110，120)热接触，/n-用于连接所述至少一个第一发射模块的至少一个第一互连(251,252)，所述第一互连(251，252)穿过所述光学层(200)。/n
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