[发明专利]用于HAST改进的器件隔离设计规则有效
| 申请号： | 201880040592.6 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110770918B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 艾伦·W·汉森;韦恩·马克·斯特鲁布尔;约翰·克拉森·罗伯茨 | 申请（专利权）人： | 麦克姆技术解决方案控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/8252 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了在恶劣环境条件下、用于隔离半导体器件和提高器件可靠性的结构和方法。可以通过在围绕器件的半导体区中进行离子注入来形成隔离区。注入区可以延伸到晶圆的道路部中。钝化层可以沉积在注入区上方，并且比隔离区延伸到道路部中更远，以保护隔离区免受可能对隔离区产生不利影响的环境条件的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 hast 改进 器件 隔离 设计 规则 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆，包括：/n由第一材料形成的衬底；/n所述半导体晶圆上的、包括集成电路器件的第一器件区域；/n在所述第一器件区域与第二器件区域之间延伸的道路部；/n部分地或完全地围绕所述集成电路器件延伸的隔离区；以及/n一个或更多个钝化层，其在所述隔离区上方延伸到所述道路部中比所述隔离区延伸到所述道路部中更远。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于麦克姆技术解决方案控股有限公司，未经麦克姆技术解决方案控股有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880040592.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
