[发明专利]用于降低损耗的具有图案化射频屏蔽结构的片上耦合电容器有效
| 申请号： | 201880040604.5 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110770895B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 成海涛;金章 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郭星 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电容器射频(RF)屏蔽结构可以包括部分地围绕RF信号路径中的耦合电容器的接地平面。接地平面可以包括在RF信号路径的正端子与RF信号路径的负端子之间延伸的第一接地平面部分。接地平面可以包括在RF信号路径的正端子与负端子之间延伸的第二接地平面部分。第二接地平面部分可以与第一接地平面部分相对。电容器RF屏蔽结构还可以包括电接触第一接地平面部分和/或第二接地平面部分的图案化屏蔽层。图案化屏蔽层可以电断开在图案化屏蔽层之上的返回电流路径，以将返回电流限制为在第一接地平面部分或第二接地平面部分之上流动。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 损耗 具有 图案 射频 屏蔽 结构 耦合 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种电容器射频(RF)屏蔽结构，包括：/n接地平面，部分地围绕RF信号路径中的耦合电容器，所述接地平面包括：/n第一接地平面部分，在所述RF信号路径的正端子与所述RF信号路径的负端子之间延伸，以及/n第二接地平面部分，在所述RF信号路径的所述正端子与所述负端子之间延伸，所述第二接地平面部分与所述第一接地平面部分相对；以及/n图案化屏蔽层，电接触所述第一接地平面部分和/或所述第二接地平面部分，所述图案化屏蔽层电断开在所述图案化屏蔽层之上的返回电流路径，以将返回电流限制为在所述第一接地平面部分或所述第二接地平面部分之上流动。/n
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