[发明专利]具有降低的控制电压和改善的品质因数的TRANSCAP器件架构在审
| 申请号： | 201880041245.5 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110770916A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | F·A·马里诺;N·卡尼克;梁晴晴;F·卡罗博兰特;P·梅内戈里 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L29/94;H01L29/36 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开的某些方面提供了一种半导体电容器。半导体电容器通常包括绝缘层和与绝缘层的第一侧相邻布置的半导体区域。半导体电容器还包括与绝缘层的第二侧相邻布置的第一非绝缘区域。在某些方面，半导体区域可以包括第二非绝缘区域，其中半导体区域包括具有不同掺杂浓度或不同掺杂类型中的至少一个的至少两个区域，并且其中该至少两个区域之间的一个或多个结被布置在第一非绝缘区域的上方或下方。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 半导体电容器 半导体区域 非绝缘区域 相邻布置 掺杂类型 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种半导体电容器，包括：/n绝缘层；/n半导体区域，与所述绝缘层的第一侧相邻地布置；以及/n第一非绝缘区域，与所述绝缘层的第二侧相邻地布置，其中：/n所述半导体区域包括第二非绝缘区域、以及具有不同掺杂浓度或不同掺杂类型中的至少一个的至少两个区域；/n所述至少两个区域之间的一个或多个结被布置在所述第一非绝缘区域的上方或下方；并且/n所述半导体区域包括第三非绝缘区域，使得所述第一非绝缘区域和所述第二非绝缘区域之间的电容被配置为：通过相对于所述第一非绝缘区域或所述第二非绝缘区域，变化施加到所述第三非绝缘区域的控制电压而被调节。/n
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