[发明专利]固态成像元件和成像装置有效
| 申请号： | 201880041349.6 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110770907B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 西木戸健树;森山卓 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N25/633;H04N25/11 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 曹正建;陈桂香 |
| 地址： | 日本国神奈川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 降低成像元件的像素(有效像素和遮光像素)之间的光电转换性能的变化。一种固态成像元件包括:多个像素，该多个像素包括用于传输入射光中具有预定波长的光的滤色器，形成在半导体衬底上并且用于根据通过滤色器传输的光执行光电转换的光电转换部，和放置在滤色器和半导体衬底之间的绝缘层；多个像素中的遮光像素，包括布置在绝缘层上的滤色器附近并且用于遮挡其自身像素中通过滤色器传输的光的第一遮光部；布置在多个像素和遮光像素之间的绝缘层上并且用于遮挡通过相邻像素的滤色器传输的光的第二遮光部。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 元件 装置 | ||
【主权项】：
1.一种固态成像元件，其包含：/n多个像素，所述多个像素包括用于传输入射光中具有预定波长的光的滤色器，形成在半导体衬底上并且用于根据通过所述滤色器传输的光执行光电转换的光电转换部，和放置在所述滤色器和所述半导体衬底之间的绝缘层；/n所述多个像素中的遮光像素，进一步包括布置在所述绝缘层上的所述滤色器附近并且用于遮蔽其自身像素中通过所述滤色器传输的光的第一遮光部；和/n布置在所述多个像素和所述遮光像素之间的所述绝缘层上并且用于遮蔽通过相邻的所述像素的所述滤色器传输的光的第二遮光部。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
