[发明专利]高温热板基座在审
| 申请号： | 201880041914.9 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110785837A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 帕特里克·马加维奥 | 申请（专利权）人： | 沃特洛电气制造公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 11444 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 葛强;王刚 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种组件，其在一种形式中是基座，该组件包括上部构件、结合到上部构件的下部构件以及在气密密封的体积内设置在上部构件和下部构件之间的热相扩散器。热相扩散器通过在气密密封的体积内的工作流体的相变来扩散热量。该组件/基座能够在超过1000℃的高温下以高的温度均匀性操作，并且在一种形式中是氮化铝(AlN)材料。 | ||
| 搜索关键词： | 上部构件 气密密封 下部构件 扩散器 温度均匀性 工作流体 组件包括 氮化铝 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种组件，包括：/n上部构件；/n下部构件；和/n热相扩散器，所述热相扩散器在气密密封的体积内设置在所述上部部件和所述下部部件之间，/n其中，所述热相扩散器通过在所述气密密封的体积内的工作流体的相变来扩散热量。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
