[发明专利]蚀刻方法和等离子体蚀刻材料在审
| 申请号： | 201880041923.8 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110832623A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 浦边敬一郎;沈鹏;徐志宇;南森·斯塔福德 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种蚀刻方法和一种等离子体蚀刻材料，该蚀刻方法对含氧化硅的膜具有快速蚀刻速率并且可以选择性地蚀刻含氧化硅的膜。该蚀刻方法包括通过将含卤化烃的气体和含C4F6O3的气体引入等离子体反应室中并且通过等离子体在该等离子体反应室中形成活性物质来蚀刻含Si材料。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 等离子体 材料 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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