[发明专利]光电转换装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880042331.8 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110809827A | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 足立大辅 | 申请（专利权）人： | 株式会社钟化 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苏琳琳;李慧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在导电型单晶硅基板(1)的第一主面上依次具有本征硅系薄膜(12)和导电型硅系薄膜(15)的晶体硅系太阳能电池(100)的制造方法。在导电型单晶硅基板上形成本征硅系层后，一边向CVD腔室内导入氢气和含硅气体，一边进行将本征硅系层的表面暴露于氢等离子体的等离子体处理。等离子体处理时朝向CVD腔室内的氢导入量为含硅气体导入量的150～2500倍，通过等离子体处理，在纹理的谷部的本征硅系层上形成薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社钟化，未经株式会社钟化许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880042331.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：诱导软骨发生的方法
- 下一篇：用于计算设备中的动态缓冲器大小设定的系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
