[发明专利]薄膜电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 201880042663.6 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN110800098B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 香川武史;泉谷淳子;原田真臣;松原弘;石田宣博 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01G4/30;H01G4/33;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王玮;张丰桥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 薄膜电容器(100)具备：下部电极(120)；介电膜(130)；上部电极(140)；第1保护膜(151)，其分别形成有使上部电极(140)开口的第1贯通孔(CH11)和使下部电极(120)开口的第2贯通孔(CH12)且具有第1上表面(150A)；第2保护膜(152)，其具有处于比第1保护膜151的第1上表面150A高的位置的第2上表面(150B)；第1端子电极(161)，其通过第1贯通孔(CH11)而与上部电极(140)电连接，至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置；以及第2端子电极(162)，其通过第2贯通孔(CH12)而与下部电极(120)电连接，至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜电容器，其特征在于，具备：/n下部电极；/n介电膜，其设置在所述下部电极之上；/n上部电极，其隔着所述介电膜而与所述下部电极对置；/n第1保护膜，其设置在所述介电膜和所述上部电极之上，分别形成有使所述上部电极开口的第1贯通孔和使所述下部电极开口的第2贯通孔，并且具有对所述第1贯通孔和所述第2贯通孔各自的高度进行规定的第1上表面；/n第2保护膜，其在俯视所述第1保护膜的所述第1上表面时看到的区域的局部设置，并具有处于比所述第1保护膜的所述第1上表面高的位置的第2上表面；/n第1端子电极，其通过所述第1贯通孔而与所述上部电极电连接，并至少延伸至所述第2保护膜的所述第2上表面地设置；以及/n第2端子电极，其通过所述第2贯通孔而与所述下部电极电连接，并至少延伸至所述第2保护膜的所述第2上表面地设置。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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