[发明专利]包括作为吸收层的超晶格的半导体装置和方法有效
| 申请号： | 201880042877.3 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110832641B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 武内英树 | 申请（专利权）人： | 阿托梅拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L21/768;H01L21/322 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置可以包括：半导体衬底(102)，具有正面和与正面相对的背面；以及在半导体衬底的正面上的超晶格吸收层(104)。所述超晶格吸收层可以包括堆叠的层组，每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层和约束在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。装置可以进一步包括：在与所述半导体衬底(102)相对的所述超晶格吸收层(104)上的有源半导体层(106)；在所述有源半导体层中的至少一个半导体电路(108)；在有源层上的至少一个金属互连层(113、114)，以及从所述至少一个金属互连层延伸到所述半导体衬底的背面的至少一个金属通孔(112)。所述超晶格吸收层还可以包含吸收的金属离子。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 作为 吸收 晶格 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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