[发明专利]制作关联电子材料（CEM）器件在审
| 申请号： | 201880043755.6 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110800121A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 卡洛斯·阿劳霍;约兰塔·克林斯卡;卢西恩·斯弗恩 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 11258 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林强 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本文公开的主题可以涉及关联电子材料(CEM)器件的构造。在特定实施例中，在形成包含过渡金属氧化物(TMO)材料和掺杂剂的层的膜之后，可以使该膜的至少一部分暴露于升高的温度。使该膜的至少一部分暴露于升高的温度可以继续直到膜内的掺杂剂的原子浓度被降低为止，这可以使得所述膜能够作为展示阻抗状态的切换的关联电子材料CEM来操作。 | ||
| 搜索关键词： | 关联电子材料 掺杂剂 升高 过渡金属氧化物 阻抗状态 暴露 展示 | ||
【主权项】：
1.一种构造关联电子材料(CEM)器件的方法，包括：/n在导电衬底上形成一层或多层过渡金属氧化物(TMO)材料，所述一层或多层TMO材料包括第一原子浓度的外在配体；以及/n在腔室中使形成在所述导电衬底上的所述一层或多层TMO材料的至少一部分暴露于升高的温度，直到所述一层或多层TMO材料的至少一部分包括不大于第二原子浓度的所述外在配体为止，所述第二原子浓度的所述外在配体用于使能低阻抗或导电状态。/n
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