[发明专利]基于多色软x射线衍射的用于半导体度量的方法及系统在审
申请号: | 201880045306.5 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN110832310A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | D·瓦克;A·舒杰葛洛夫;O·可哈达金;A·库兹涅佐夫;N·亚提湄夫;M·弗里德曼 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | G01N23/201 | 分类号: | G01N23/201;G01B15/00;H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文中呈现用于基于高亮度多色反射小角度x射线散射测量RSAXS度量而执行半导体结构的测量的方法及系统。同时或依序用小的照射射束点大小在波长、入射角及方位角的一定范围内执行RSAXS测量。在一些实施例中,用在软x射线SXR区域中的x射线辐射以在5度到20度的范围内的掠入射角执行RSAXS测量。在一些实施例中,x射线照射源大小为10微米或更小,且聚焦光学器件以0.2或更小的倍率因子将源区投射到晶片上,从而实现小于2微米的入射x射线照射点大小。在另一方面中,有源聚焦光学器件同时或依序将照射波长、入射角及方位角或其任何组合的经编程范围投射到度量区上。 | ||
搜索关键词: | 基于 多色 射线 衍射 用于 半导体 度量 方法 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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