[发明专利]在PCM介质中实现LBA淘汰有效
| 申请号： | 201880045342.1 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110869912B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 唐翔宇;李晓兵;吴云翔;胡肯 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02;G06F12/0868;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 李欣 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 根据本发明的各个方面，提供了一种用于在相变存储器(phase‑change memory，简称PCM)中写入和淘汰数据的方法和装置。在一个实施例中，将逻辑块地址(logical block address，简称LBA)淘汰候选(LBA eviction candidate，简称LEC)列表(100，400，956)存储在所述PCM介质(952)中。所述LEC列表(100，400，956)采用具有头端(110，410)和尾端(120，420)的循环队列，在所述头端(110，410)插入新的LBA。在一个实施例中，当需要从所述PCM介质(952)中淘汰数据时，将所述LEC列表(100，400，956)的所述尾端(120，420)的尾端LBA与所述LEC列表(100，400，956)上具有与所述尾端LBA序列号连续的写入序列号的所有后续LBA淘汰。 | ||
| 搜索关键词： | pcm 介质 实现 lba 淘汰 | ||
【主权项】：
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