[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201880045648.7 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN110870079A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 杉本雅裕;高桥勲;神原仁志;四戸孝;人罗俊实 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种特别对功率器件有用的半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置，至少具备半导体区域和设置在该半导体区域上的势垒电极，在所述半导体区域与所述势垒电极之间设置有势垒高度调整区域，与所述半导体区域与所述势垒电极的界面中的势垒高度相比，所述势垒高度调整区域与所述势垒电极之间的势垒高度更大，在所述半导体区域表面嵌入有多个所述势垒高度调整区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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