[发明专利]低功率晶体振荡器有效
| 申请号： | 201880045676.9 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110870199B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | A·纳贾菲;S·戈拉拉;R·马卡莱姆;S·莫洛迪 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/36 | 分类号： | H03B5/36 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;李兴斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种皮尔斯振荡器设置有跨导放大器晶体管，该跨导放大器晶体管具有DC漏极电压，该DC漏极电压独立于用于跨导放大器晶体管的DC栅极电压而被调节为等于基准电压。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 晶体振荡器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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