[发明专利]具有保护环的MOS器件在审
| 申请号： | 201880046031.7 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110870075A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 陆叶;岳云;P·康卡帕卡;杨斌;陈全兴 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;李春辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于射频(RF)应用的金属氧化物半导体(MOS)器件可以包括保护环。保护环可以围绕该MOS器件和至少一个其他MOS器件。MOS器件还可以包括通过层级零互连和过孔耦合到第一互连层的层级零接触层。第一互连层可以用于到MOS器件的布线。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 保护环 mos 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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