[发明专利]半导体基板、半导体元件以及半导体基板的制造方法在审

专利信息
申请号: 201880046032.1 申请日: 2018-07-09
公开(公告)号: CN110869543A 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 仓又朗人;渡边信也;佐佐木公平;八木邦明;八田直记;东胁正高;小西敬太 申请(专利权)人: 株式会社田村制作所;株式会社希克斯;国立研究开发法人情报通信研究机构
主分类号: C30B29/16 分类号: C30B29/16;C30B33/06;H01L21/02;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78;H01L29/872
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 徐谦;刘宁军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种半导体基板(1),其是由单晶Ga2O3系基板(10)与多晶基板(11)接合而成的,单晶Ga2O3系基板(10)的厚度薄于多晶基板(11)的厚度,多晶基板(11)的断裂韧性值高于单晶Ga2O3系基板(10)的断裂韧性值。
搜索关键词: 半导体 元件 以及 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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