[发明专利]NAND存储器阵列、包括半导体沟道材料及氮的装置以及形成NAND存储器阵列的方法

摘要

一些实施例包含装置，所述装置具有通过介电区域与半导体沟道材料间隔开的栅极，并且具有直接抵靠所述半导体沟道材料且位于所述半导体沟道材料的与所述介电区域相对的侧上的含氮材料。一些实施例包含一种装置，所述装置具有通过介电区域与半导体沟道材料间隔开的栅极，且具有位于所述半导体沟道材料中的至少一些半导体沟道材料内的氮。一些实施例包含一种NAND存储器阵列，所述NAND存储器阵列包含交替的绝缘层级与字线层级的垂直堆叠。沟道材料沿着所述堆叠垂直延伸。电荷存储材料位于所述沟道材料与所述字线层级之间。介电材料位于所述沟道材料与所述电荷存储材料之间。氮位于所述沟道材料内。一些实施例包含形成NAND存储器阵列的方法。