[发明专利]用于硅间隙填充的循环保形沉积/退火/蚀刻有效
| 申请号： | 201880046268.5 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110892505B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 程睿;杨奕;A·B·玛里克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/324;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于无接缝和空隙的间隙填充方法，诸如用非晶硅对高纵横比的沟槽进行间隙填充。一种方法通常包括：在其上具有一个或多个特征的半导体器件上沉积非晶硅；将所述沉积的非晶硅退火以使所述一个或多个特征之间的所述沉积的非晶硅中的一个或多个接缝修复；以及蚀刻所述经退火的非晶硅以去除所述一个或多个特征之间的所述经退火的非晶硅中的一个或多个空隙。通常，将沉积、退火和蚀刻工艺重复任何合适的次数以实现非晶硅间隙填充，而在一个或多个特征之间没有任何接缝或空隙。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 间隙 填充 循环 沉积 退火 蚀刻 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880046268.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
