[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在审
| 申请号： | 201880046354.6 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN110870047A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 中山雅则;舟木克典;上田立志;坪田康寿;竹岛雄一郎;井川博登;山角宥贵 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;C23C16/56;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供进行改性以大幅减小衬底上形成的钨膜的薄层电阻值，并形成具有适于电极等的优异特性的钨膜的技术。具有：将表面形成有钨膜的衬底搬入处理室内的工序；通过对含有氢及氧的处理气体进行等离子体激发以生成反应种的工序；以及将反应种向衬底供给以对钨膜进行改性的工序，在对钨膜进行改性的工序中，以使构成钨膜的钨的晶体粒径变得比进行该工序前大的方式对钨膜进行改性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
