[发明专利]带有局部存储器选择晶体管的后面存储器元件有效
| 申请号： | 201880046527.4 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110892531B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | J·鲁宾;A·库马尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/01;H10N50/10 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘都;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 存储器器件包括晶片上的半导体器件。该半导体器件包括栅极结构、第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域。栅极结构在晶片的第一面上。第一源极/漏极区域也在晶片的第一面上，并且与栅极结构的第一端接触。第二源极/漏极区域在晶片的第二面上并延伸到第一面中以与栅极结构的第二端接触。该存储装置还包括在晶片的第二面上的存储器存储元件。存储器存储元件与第二源极/漏极区域接触。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 局部 存储器 选择 晶体管 后面 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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