[发明专利]基座及其制造方法有效
| 申请号： | 201880046563.0 | 申请日： | 2018-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN110914955B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 大洼修一;高桥辉;铃木俊哉;薄叶秀彦 | 申请（专利权）人： | 新日本科技炭素株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C01B32/21;C23C16/42;C23C16/46;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋 |
| 地址： | 日本宫城县黑川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种温度控制的响应性提升了的基座及其制造方法，且目的在于无损生产性而获得高品质的晶片制品。所述基座，通过感应加热而发热，所述基座的特征在于具有石墨基材与陶瓷涂布层，且石墨基材的室温下的面内的比电阻分布的偏差(ρ |
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| 搜索关键词： | 基座 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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