[发明专利]消除光刻中随机数的收率影响在审
| 申请号： | 201880046648.9 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110892509A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 内德·莎玛;理查德·怀斯;游正义;萨曼莎·坦 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20;H01L21/033;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述了用于在光刻图案化的衬底上执行与深宽比有关的沉积和与深宽比无关的蚀刻的循环的方法和装置。方法适合于减少通过光刻形成和部分形成的特征之间的特征深度和/或深宽比的变化，一些部分形成的特征由于随机效应而部分形成。方法和装置适合于在极紫外光刻之后处理具有光致抗蚀剂的衬底。一些方法涉及通过等离子体增强化学气相沉积进行的沉积以及通过原子层蚀刻进行的定向蚀刻的循环。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 光刻 随机数 收率 影响 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
