[发明专利]作为用于高生长速率含硅膜的前体的官能化环硅氮烷有效
| 申请号： | 201880047342.5 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110891956B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 萧满超;M·R·麦克唐纳 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C07F7/21 | 分类号： | C07F7/21;C23C16/40;C23C16/34;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述了官能化环硅氮烷前体化合物以及通过热原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺或其组合来沉积含硅膜的包含该前体化合物的组合物和方法，该含硅膜例如，但不限于，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或碳掺杂氧化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 作为 用于 生长 速率 含硅膜 官能 化环硅氮烷 | ||
【主权项】：
暂无信息
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