[发明专利]形成自对准触点在审
| 申请号： | 201880047408.0 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110892523A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 范淑贞;B·普拉纳萨蒂哈伦;A·格林;谢瑞龙;M·V·雷蒙德;S·连 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;格芯公司;三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘都;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了通过在形成触点之前形成栅极侧壁间隔物和栅极来形成自对准触点的技术。在一个方面，一种形成自对准触点的方法包括以下步骤：在衬底上形成多个栅极侧壁间隔物；将栅极侧壁间隔物埋入电介质中；通过从栅极侧壁间隔物之间的将要形成栅极的区域选择性地去除电介质来形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极；通过选择性地从栅极侧壁间隔物之间的将要形成自对准触点的区域去除电介质来形成触点沟槽；在触点沟槽中形成自对准触点。还提供了具有自对准触点的器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 对准 触点 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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