[发明专利]低蚀刻率自对准磁穿隧接面装置结构有效
| 申请号： | 201880047456.X | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110915011B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 杰斯明·哈克;锺汤姆;滕忠健 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于形成自对准于旗下的底部电极BE(35,36)的一种磁穿隧接面(MTJ)单元(47)的制程流程。底部电极包括具有第一宽度(wl)的下底部电极层(35)及具有第二宽度(w2)的上(第二)底部电极层(36)，其中w2大于w1。底部电极优选具有T形。磁穿隧接面堆叠层包括最上层硬遮罩(46)，其沉积于底部电极上并因为自对准沉积制程而具有宽度w2。虚置磁穿隧接面堆叠(49)也形成在第一底部电极层的周围。使用离子对基板的入射角度小于90°的离子束蚀刻，以移除侧壁上的多余材料。其后，沉积封装层(80)，将磁穿隧接面单元绝缘，并填充第一底部电极层与虚置磁穿隧接面堆叠之间的间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 对准 磁穿隧接面 装置 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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