[发明专利]用于监测真空腔室的清洁度的清洁度监测器和方法有效
| 申请号： | 201880047913.5 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN111316414B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 伊里特·拉奇-尼尔;迈克尔·艾伦;盖伊·伊坦;马根·雅科夫·舒曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料以色列公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G01N30/72 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于监测真空腔室的清洁度的清洁度监测器。所述清洁度监测器可包括质谱仪、分子聚集和释放单元、以及分析器。所述分子聚集和释放单元被配置为(a)在聚集时期期间聚集存在于所述真空腔室中的有机分子和(b)在释放时期期间朝向所述质谱仪诱导所述有机分子的子集的释放。所述质谱仪被配置为：监测所述真空腔室内的环境，和产生指示所述环境的内容物的检测信号；其中所述检测信号的第一子集指示所述有机分子的所述子集的存在。所述分析器被配置为基于所述检测信号来确定所述真空腔室的清洁度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 监测 空腔 清洁 监测器 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料以色列公司，未经应用材料以色列公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880047913.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
