[发明专利]三端自旋霍尔MRAM在审
| 申请号： | 201880048474.X | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN110945588A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | D·沃尔莱德格;J·K·德伯罗斯;J·Z·孙 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了改进的自旋霍尔MRAM设计，其使得能够使用用于每个MTJ的单独的自旋霍尔线一起写入沿着给定字线的所有位。在一个方面，磁存储器单元包括：自旋霍尔线，其专用于磁存储器单元；MTJ，设置在自旋霍尔线上，其中MTJ包括通过隧道势垒与自由磁性层分离的固定磁性层；以及一对选择晶体管，其连接到自旋霍尔线的相对端。还提供了一种MRAM器件及其操作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 霍尔 mram | ||
【主权项】：
暂无信息
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