[发明专利]切割加工方法在审
| 申请号： | 201880048776.7 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110998798A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 真锅俊树;妹尾武彦;泉浩一;荘所正;荻原孝文;坂本刚志 | 申请（专利权）人： | 岩谷产业株式会社;浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/53;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 切割加工方法包括以下工序：在加工对象物(1)上形成改性区域；以及在加工对象物(1)上形成了改性区域之后在加工对象物(1)沿着切割预定线形成槽(9)。在形成槽(9)的工序中，从加工对象物(1)的表面(3)朝向背面(4)实施第1干蚀刻处理。在第1干蚀刻处理之后，实施将加工对象物(1)置于与第1干蚀刻处理时相比减压的气氛下的第1减压处理。在第1减压处理之后，从加工对象物(1)的表面(3)朝向背面(4)实施第2干蚀刻处理。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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