[发明专利]用于通用闪存存储(UFS)的降电模式有效
| 申请号： | 201880049108.6 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110945456B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | H·幸;T·C·雷诺兹;H·王 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/32 | 分类号： | G06F1/32;G11C5/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈炜;唐杰敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 涉及被配置为支持深度降电模式的通用闪存存储(UFS)存储器系统的系统和方法，其中该UFS存储器系统不需要响应于从耦合到UFS存储器系统的主机设备收到的命令。相应地，在深度降电模式中，UFS存储器系统和主机设备之间的链路或接口也可以被降电。UFS存储器系统可以基于从主机设备或硬件复位断言收到的命令来进入深度降电模式，并且基于硬件复位解除断言或功率循环来退出深度降电模式。当在深度降电模式中，UFS存储器设备的功耗基本上低于常规功率模式中UFS存储器设备的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 通用 闪存 存储 ufs 模式 | ||
【主权项】：
暂无信息
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