[发明专利]用于产生短光脉冲的发光半导体器件有效
| 申请号： | 201880049377.2 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110998874B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 格奥尔格·勒雷尔;罗伯特·卡佩尔;内纳德·利利奇 | 申请（专利权）人： | AMS有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00;H01L33/04;G02B6/43;H05B47/10;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 奥地利普*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
器件包括双极晶体管(T)，其具有发射极(E)、基极(B)、集电极(C)、基极‑集电极结和基极‑发射极结、集电极‑基极击穿电压(BV)、与基极(B)或集电极(C)电连接的猝熄部件(Q)和开关电路(S1、S2、S3)，开关电路配置为对基极‑发射极结施加正向偏置。双极晶体管配置为在高于击穿电压(BV)的反向集电极‑基极电压(V |
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| 搜索关键词： | 用于 产生 脉冲 发光 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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