[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201880050013.6 | 申请日： | 2018-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110998862A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 平野博茂;栗山宽明;山田隆順;立岩健二 | 申请（专利权）人： | TOWERJAZZ松下半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京煦润律师事务所 11522 | 代理人： | 梁永芳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 活性区域(1)具有形成第一及第二晶体管的体区域(10)、连接体区域的电位的连接部(18、28)以及将体区域和连接部连接的引出部(17、27)。形成于体区域的第一及第二晶体管的源极区域或漏极区域形成于共通区域。引出部从沟道区域分别分离并延伸，且在其上延伸出栅电极(14)。引出部的宽度比第一及第二晶体管的源极区域及漏极区域的接触部间的距离窄。连接部的宽度为在引出部上延伸的栅电极的栅极宽度以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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