[发明专利]由单晶硅构成的外延涂覆的半导体晶片及其制造方法在审
| 申请号： | 201880050070.4 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110998787A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | R·绍尔;J·哈贝雷希特 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B25/10;C23C16/46;C23C16/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种由直径不小于300mm的单晶硅构成的半导体晶片，以及一种用于制造由直径不小于300mm的单晶硅构成的涂覆的半导体晶片的方法。所述半导体晶片包括由单晶硅构成的衬底晶片以及位于所述衬底晶片上的由硅构成的外延层，所述外延层包含掺杂剂，其中，所述外延层的厚度的不均匀性不超过0.5％，且所述外延层的电阻率的不均匀性不超过2％。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 构成 外延 半导体 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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