[发明专利]具有防止等离子体蚀刻效应的屏蔽件的EUV辐射的光学布置有效
| 申请号： | 201880050254.0 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN111033384B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | B.利鲍格;M.贝克;K.希尔德;J.哈特杰斯;S.哈斯 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种EUV辐射的光学布置(1)，其包括：至少一个反射式光学元件(16)，具有带有反射EUV辐射(33)的涂层(31)的主体(30)。至少一个屏蔽件(36)被装配到主体(30)的至少一个表面区域(35)，并且在光学布置(1)的操作期间保护至少一个表面区域(35)免受等离子体(H |
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| 搜索关键词： | 具有 防止 等离子体 蚀刻 效应 屏蔽 euv 辐射 光学 布置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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