[发明专利]制造多晶硅的闪光灯退火方法有效
| 申请号： | 201880050286.0 | 申请日： | 2018-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111279458B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | K·D·希施曼;R·G·曼利;T·穆德高 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张璐;徐鑫 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造多晶硅(p‑Si)的方法，包括：沉积无定形硅以产生无定形硅超级台面；对无定形硅进行脱氢；对超级台面进行图案化以产生图案化基材；在图案化基材上的无定形硅上沉积氧化物覆盖层；将覆盖的图案化基材加热到a‑Si的结晶温度；以及使用氙灯对图案化基材进行闪光灯退火以产生具有至少一个超级台面且所述超级台面具有超尺寸晶粒的p‑Si。还公开了p‑Si制品和包含所述制品的装置，以及制造p‑Si制品的设备。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 多晶 闪光灯 退火 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
