[发明专利]具有III族氮化物和金刚石层的晶片在审
| 申请号： | 201880050496.X | 申请日： | 2018-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111095480A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 赵参烈;李源祥 | 申请（专利权）人： | RFHIC公司(KR) |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 谢玉斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了包括金刚石层(1306)和具有III族氮化物的半导体层(1310)的晶片(1309)以及用于制造该晶片(1309)的方法。在硅衬底(1302)上形成第一SiC层(1304)，并且使用含碳气体将第一SiC层(1304)的表面碳化以在SiC层上形成碳颗粒。然后，在碳化表面上生长金刚石层(1306)，其中，碳原子作为生长金刚石层的种子颗粒。在金刚石层(1306)上形成第二SiC层(1308)，并且在第二SiC层(1308)上形成具有III族氮化物的半导体层(1310)。然后，去除硅衬底(1302)和第一SiC层(1304)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 iii 氮化物 金刚石 晶片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
