[发明专利]功率半导体模块有效
| 申请号： | 201880050808.7 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN111033723B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 川村大地;增田彻;楠川顺平 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立功率半导体 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L23/00;H01L23/29;H01L23/31;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张敬强;金成哲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体模块，即使在为了实现功率半导体模块的大容量化且保证高绝缘可靠性而扩大绝缘基板上的表面电极的面积，使沿面距离缩小的情况下，也能够防止因沿面放电引起的短路击穿。功率半导体模块(100)的特征在于，具有：绝缘基板(2)，其在表背面上设有第一电极(7‑1)和第二电极(7‑2)；功率半导体芯片(1)，其与第一电极(7‑1)接合；金属基座(3)，其与第二电极(7‑2)接合；绝缘壳体(5)；以及硅凝胶(6)，其配置于由金属基座(3)和绝缘壳体(5)形成的空间内且密封绝缘基板(2)和功率半导体芯片(1)，绝缘基板(2)的互相对置的侧面彼此或与绝缘基板(2)对置的绝缘壳体(5)的侧面和绝缘基板(2)的侧面通过硬质树脂(8)接合，硬质树脂(8)覆盖缘基板(2)从第一电极(7‑1)露出的部分的一部分及绝缘基板(2)的侧面的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
暂无信息
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