[发明专利]在水平表面上的选择性沉积SiN在审
| 申请号： | 201880050853.2 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110998790A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 巴特·J·范施拉芬迪克;阿维尼什·古普塔;帕特里克·A·范克利蒙布特;詹森·大进·帕克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/11524;H01L21/3213;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了用于通过高密度等离子体化学气相沉积(HDP CVD)选择性沉积氮化硅(SiN)，以在具有交替的氧化物层和氮化物层的3D NAND阶梯状结构中的氮化物层的暴露的平坦表面上形成SiN垫的方法和装置。在一些实施方案中，执行选择性蚀刻以去除在阶梯状结构的氧化物层的侧壁上的SiN的不希望有的累积。阶梯状结构的氮化物层被钨(W)取代以形成钨字线，而SiN垫被钨取代以形成着陆垫，这防止了通过延伸到钨字线上的互连件而导致阶梯状结构上的钨字线的穿通。 | ||
| 搜索关键词： | 水平 表面上 选择性 沉积 sin | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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