[发明专利]TCP蚀刻室中的集成原子层钝化和原位蚀刻-ALP方法在审
| 申请号： | 201880050870.6 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110998805A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 周翔;汤姆·A·坎普;木村吉江;张杜明;许晨;约翰·德鲁厄里;亚历克斯·帕特森 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67;H05H1/46;C23C16/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种用于蚀刻衬底的方法，其包括使用等离子体蚀刻工艺在等离子体室中对衬底材料进行第一蚀刻。第一蚀刻使特征在材料中形成至第一深度。在第一蚀刻之后，该方法包括在没有从室中去除衬底的情况下，在等离子体室中执行原子层钝化(ALP)工艺，以在掩模和第一蚀刻期间形成的特征上沉积共形的钝化膜。ALP工艺使用来自液态前体的蒸气以在特征和掩模上形成钝化层。该方法还包括使用等离子体蚀刻工艺在等离子体室中对材料进行第二蚀刻。共形的钝化膜被配置为在第二蚀刻期间保护掩模和特征的侧壁。还描述了等离子体处理系统。 | ||
| 搜索关键词： | tcp 蚀刻 中的 集成 原子 钝化 原位 alp 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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