[发明专利]皮层以及皮层的制造方法有效
| 申请号： | 201880051473.0 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110998436B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 奥秀彦;秀一郎 | 申请（专利权）人： | 爱沃特株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;G03F1/64 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 韩聪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供能提升制造成品率的皮层以及皮层的制造方法。皮层的制造方法具备：准备含Si的支承体的工序；和在支承体的表面形成皮层膜(4)的工序。形成皮层膜的工序包含如下工序：通过将支承体的表面的Si碳化来在支承体的表面形成具有第1平均碳浓度的SiC膜；和在SiC膜的表面成膜具有与第1平均碳浓度不同的第2平均碳浓度的SiC膜。皮层的制造方法还具备如下工序：通过湿式蚀刻使SiC膜的背面的至少一部分露出。 | ||
| 搜索关键词： | 皮层 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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