[发明专利]流体供给装置和流体供给方法在审
| 申请号： | 201880051985.7 | 申请日： | 2018-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110998801A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 吉田俊英;皆见幸男;篠原努 | 申请（专利权）人： | 株式会社富士金 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供一种能够稳定地供给超临界流体的流体供给装置和流体供给方法。该流体供给装置是用于朝向处理室供给向超临界流体变化之前的液态的流体的流体供给装置，该流体供给装置具有：冷凝器(130)，其用于使气态的流体冷凝液化；贮存器(140)，其用于贮存利用冷凝器(130)冷凝液化而成的流体；泵(150)，其用于朝向处理室(500)加压输送被贮存于贮存器(140)的液化而成的流体；以及加热部件(20)，其设于与泵(150)的喷出侧连通的流路，用于使该流路内的液体部分地成为超临界流体。 | ||
| 搜索关键词： | 流体 供给 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
